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SST25VF010-20-4C-QAE

更新时间:2024-03-28 07:38:32
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SST25VF010-20-4C-QAE 相关资料
  • 其它信息:

    读、写操作电压2.7~3.6V;串行接口结构:SPI兼容模式0和模式3;最大时钟频率:20MHz;高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持超过100年;超低功耗,动态读出电流:7mA(典型值),待机电流:8μA(典型值);灵活的擦除功能,均匀的4KB扇区,均匀的32KB叠加块;快速擦除操作和字节编程时间,芯片擦除时间:70ms(典型值),扇区/块擦除时间:18ms(典型值),字节编程时间:14μs(典型值);自动地址增加(AAI)程序:字节编程操作减少整个芯片的编程时间;写操作完成监测:软件状态;保持引脚(HOLD#):在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列;写保护(WP#):在状态寄存器中允许/失效锁操作方法;软件写保护:在状态寄存器中通过块保护位写保护;所有无铅装置遵从RoHS标准;温度范围:0~+70℃(商用级C)

  • 引脚图:

    SST25VF010-20-4C-QAE引脚图

SST25VF010-20-4C-QAE的中文资料 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:闪存
  • 存储类型:NAND
  • 存储容量:1 Mbit
  • 结构:Sectored
  • 接口类型:SPI
  • 访问时间:20 ns
  • Supply Voltage - Max:3.6 V
  • Supply Voltage - Min:2.7 V
  • 最大工作电流:10 mA
  • 工作温度:+ 70 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:WSON-8
  • 封装:Tube
  • 组织:32 KB
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