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SST39VF020

更新时间:2024-03-29 22:23:53
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    SST39VF020-70-4C-NHE
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SST39VF020 相关资料
  • 其它信息:

    组织结构为256K×8;读、写操作电压2.7~3.6V;高可靠性,保证100000次读/写,数据保持100年;低功耗操作,动态电流:5mA(典型值),待机电流:1μA(典型值);扇区擦除操作功能:均匀的4KB扇区;快速读取时间:70ns;锁存地址和数据;快速擦除操作和字节编程时间,扇区擦除操作时间:18ms(典型值),芯片擦除操作时间:70ms(典型值);字节编程时间:14μs(典型值),芯片重写时间:4s;自动调节写操作时间;写操作完成监测:Toggle位,Data #轮询;兼容CMOS I/O;符合JEDEC标准;所有无铅装置遵从RoHS标准

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