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STP12NK80Z

更新时间:2024-04-24 08:00:52
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STP12NK80Z 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=10.5A
    电压参数：UDS=800V/UGS=±30V
    功  率：Ptot=190W
    其他参数：10V/0.65Ω,trr=635ns
    极  性：N

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STP12NK80Z外观图

  • 大小：691KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
  • 其它有关文件：STP12NK80Z View All Specifications
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：SuperMESH™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：750 毫欧 @ 5.25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：87nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2620pF @ 25V
  • 功率 - 最大：190W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 配用：497-8226-ND - BOARD EVAL L5991/STP12NK80Z
  • 其它名称：497-6737-5STP12NK80Z-ND
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