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STS4PF20V

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STS4PF20V 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=4A/IDM=16A
    电压参数:UDS=20V/UGS=±12V
    功   率:Ptot=2.5W
    其他参数:4.5V/0.09Ω、2.7V/0.1Ω,trr=20ns
    极  性:P

STS4PF20VPDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 大小:267.64KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 4A SO- 2.7V-DRIVE STripFET⑩ II POWER MOSFET
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
  • 漏极连续电流:4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms
  • 配置:Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SO-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:11 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:2.5 W
  • 上升时间:12 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:46 ns
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