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STW25NM50N

更新时间:2024-04-18 12:25:07
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STW25NM50N 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=22A
    电压参数:UDS=500V/UGS=±25V
    功   率:Ptot=160W
    其他参数:10V/0.11Ω,trr=460ns
    极  性:N

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STW25NM50N外观图

  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MDmesh™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:22A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:140 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:84nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2565pF @ 25V
  • 功率 - 最大:160W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-4675-5
STW25NM50N 相关信息
  • ST发布基于第二代MDmesh技术的新产品
    ...声抑制能力增强,阈压范围保持不变。而且,新一代MDmesh技术支持更严格的RDS (ON)通态电阻要求。 首批上市的新产品系列包括分别采用TO-247、TO-220、TO-220FP和D2PAK/I2PAK封装的500V、140mΩ的STW25NM50N、STP25NM50N、STF25NM50N和STB25NM50NT4/-1;分别采用DPAK、TO-220、TO-220FP和D2PAK封装的500V、380mΩ的STD12NM50NT4、STP12NM50N、STF12NM50N、STB12NM50NT4;分别采用TO-247、TO...
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