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SUM65N20-30-E3

更新时间:2024-04-22 22:38:52
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  • 大小:88.6KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:D2-PAK; Capacitance Ciss Typ:5100pF; Current Id Max:65A; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.75W; Pulse Current Idm:140A; Repetitive Avalanche Energy Max:61mJ; Reverse Recovery Time trr...
  • 数据列表:SUM65N20-30
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:65A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5100pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.75W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SUM65N20-30-E3-NDSUM65N20-30-E3TR
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