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SPD08P06P

更新时间:2025-05-14 11:27:12
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SPD08P06P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SPD08P06P外观图

  • 典型关断延迟时间：48 ns
  • 典型接通延迟时间：16 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：10 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：335 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：6.22mm
  • 封装类型：TO-252
  • 尺寸：6.5 x 6.22 x 2.3mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：42000 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：60 V
  • 最大漏源电阻值：0.3
  • 最大连续漏极电流：8.83 A
  • 最高工作温度：+175 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：P
  • 配置：单
  • 长度：6.5mm
  • 高度：2.3mm
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