BS107A
参数信息:
参数信息:
源漏极间雪崩电压VBR(V):200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6000
最大漏极电流Id(on)(A):0.250
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-92/-55~150
描述:小信号N沟道TO92封装场效应管
BS107A PDF下载
- 大小:76.19KB
厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors] N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

