BSP603S2L
参数信息:
参数信息:
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleDualDrain
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:55V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:5.2A
功率耗散:1800mW
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厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG] OptiMOS Power-Transistor
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleDualDrain
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:55V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:5.2A
功率耗散:1800mW
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