FQP4N90
参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 欧姆 @ 2.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
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厂家:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] 900V N-Channel MOSFET
- 供应FQP4N90C
专营,大中小功率二三级管.三端稳压管.可控硅.肖基特。快恢复。场效应。IR电话82578313范生
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