FQP6N80
参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.95 欧姆 @ 2.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.8A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
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厂家:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] 800V N-Channel MOSFET
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