IPB100N08S2-07 IPB100N08S2-03 IPB100N06S3L-04 IPB100N06S3L-03 IPB100N06S3-04 IPB100N06S3-03 IPB100N06S2L-05 IPB100N06S2-05 IPB100N06S03-03 IPB100N04S3-03IPB100N10S3-05
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参数信息:
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类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:OptiMOS™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.5 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
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厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG] OptiMOS㈢ Power-Transistor

