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类别:分离式半导体产品
家庭:FET-单路
系列:HEXFET®
FET型:MOSFETN通道,金属氧化物
FET特点:标准型
开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:23毫欧@28A,10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流-连续漏极(Id)@25°C:57A
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厂家:IRF [International Rectifier] HEXFET Power MOSFET
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