IRF450
参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:500 毫欧 @ 12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
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厂家:SEME-LAB [Seme LAB] N-CHANNEL POWER MOSFET

