IRF637 IRF636A IRF636 IRF635 IRF634STRR IRF634STRL IRF634SPBF IRF634S IRF634PBF IRF634NSTRRIRF640 (IR)
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参数信息:
参数信息:
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:150W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
IRF640 PDF下载
- 大小:106.98KB
厂家:STMicro N - CHANNEL 200V - 0.150 - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY TM MOSFET
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主营 (二极管,三极管,场效应管,IGBT场效应管,高频管,三端稳压器,单/双向可控硅
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