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标准包装:1
类别:分离式半导体产品
家庭:FET-单路
系列:HEXFET®
FET型:MOSFETN通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:8.1毫欧@15A,10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
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厂家:IRF [International Rectifier] HEXFET Power MOSFET


