IXFH52N30Q IXFH52N30P IXFH52N30 IXFH50N20 IXFH4N100Q IXFH4N100 IXFH48N50 IXFH450 IXFH44N50P IXFH42N20SIXFH58N20Q
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参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HiPerFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:40 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:58A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 4mA
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厂家:IXYS [IXYS Corporation] HiPerFET Power MOSFETs

