NTR1P02L NTR1P02ELT1G NTR1P02ELT1 NTR0202PT1G NTR0202PLT3G NTR0202PLT3 NTR0202PLT1G NTR0202PLT1 NTR0202P NTQS6463R2NTR1P02LT1G
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参数信息:
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源漏极间雪崩电压VBR(V):-20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220@-4.5V
最大漏极电流Id(on)(A):-1.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
描述:-1.3A,-20V功率MOSFET
NTR1P02LT1历史价格
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厂家:ONSEMI [ON Semiconductor] Power MOSFET
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