NZT660
参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 500mA, 2V
NZT660历史价格
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厂家:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] PNP Low Saturation Transistor

