SI5853DC-T1 SI5853DC SI5853CDC-T1-E3 SI5853CDC SI5853 SI584DY SI582DJ SI582 SI581DJ SI-562ASI5853DC-TI-E3
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参数信息:
参数信息:
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:二极管(隔离式)
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 毫欧 @ 2.7A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.7A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA

