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SST25VF080B 相关资料
读、写操作电压2.7~3.6V;串行接口结构:SPI兼容模式0和模式3;高时钟频率:50MHz;高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持超过100年; 超低功耗,动态读出电流:10mA(典型值),待机电流:5μA(典型值);灵活的擦除功能,均匀的4KB扇区,均匀的32KB叠加块,均匀的64KB叠加块; 快速擦除操作和字节编程时间,芯片擦除时间:35ms(典型值),扇区/块擦除时间:18ms(典型值),字节编程时间:7μs(典型值); 自动地址增加(AAI)程序:字节编程操作减少整个芯片的编程时间; 写操作完成监测:软件方法在状态寄存器中查询BUSY位,在SO引脚读出忙碌状态;保持引脚(HOLD#):在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列;写保护(WP#):在状态寄存器中允许/失效锁操作方法;软件写保护:在状态寄存器中通过块保护位写保护;温度范围:0~+70℃(商用级C),-40~+85℃(工业级I);所有无铅装置遵从RoHS标准
引脚图:
SST25VF080B引脚图
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