SI7810DN-T1 SI7810DN SI7810 SI7806DN-T1-E3 SI7806DN-T1 SI7806DN SI7806BDN-T1-E3 SI7806BDN SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADNSI7812
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类别:分离式半导体产品
家庭:FET-单路
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFETN通道,金属氧化物
FET特点:Standard
开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:62毫欧@5.4A,10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流-连续漏极(Id)@25°C:3.4A
SI7810DN-T1-E3历史价格
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厂家:Vishay N CH MOSFET, 100V, 3.4A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):84mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V ;RoHS Compliant: Yes


