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AOD4186

更新时间:2024-04-18 19:34:18
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AOD4186外观图

  • 大小：153.44KB
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  • 描述：General Description Features (V GS = 10V) (V GS = 10V) (V GS = 4.5V) - RoHS Compliant 100% UIS Tested! - Halogen Free 100% R g Tested! Symbol V DS V GS I DM I AR E AR T J , T STG Symbol Typ Max 16.7 25 40 50 R θJC 2.5 3 I D = 50A R DS(ON) < 15m? T C =25°C 2.5 25 T C =100°C 24 70 Pulsed Drain Current C Continuous Drain Current G Junction and Storage Temperature Range -55 to 175 °C Thermal Characteristics Units Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s °C/W Parameter R θJA V V ±20 Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage 40 AOD4186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Maximum Units Parameter Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted The AOD4186 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R DS(ON) . This device is ideal for low voltage inverter applications. R DS(ON) < 19m? V DS (V) =40V Repetitive avalanche energy L=0.1mH C mJ Avalanche Current C 8 Continuous Drain Current 29 10 A A T
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1200pF @ 20V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：TO-252
  • 包装：带卷 (TR)
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