2N6715
参数信息:
参数信息:
制造商:Central Semiconductor
产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
最大直流电集电极电流:2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:60 at 0.1 A at 1 V
配置:Single
最大工作频率:500 MHz
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