6.2M历史价格
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Vishay推出功率MOSFETSi7633DP与Si7135DP
...时)及5.5mΩ(在4.5V时)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30V器件低27%(在10V时)和28%(在4.5V时),比最接近的同类25V SO-8器件分别低28%和15%。30-V Si7135DP的导通电阻为 3.9mΩ(在10V时)和6.2mΩ(在4.5V时),比最接近的同类器件分别低13%(在10V时)和19.5%(在4.5V 时)。 这次推出的两款MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装,可容许比其它SO-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损...
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建立比较器的外部滞回电压
...虑到输出的两种可能状态, R3由如下两式求得: R3 = VREF/IR3和R3 = (VCC - VREF)/IR3. 取计算结果中的较小阻值, 例如, VCC = 5V, IR3 = 0.2μA, 使用MAX9117比较器(VREF = 1.24V), 则计算结果为6.2M和19M, 选则R3为6.2M。 最后, 开漏结构的比较器内部滞回电压为4mV (MAX9016、MAX9018、MAX9020), 需要外接上拉电阻, 如图11所示。外加滞回可以通过正反馈产生, 但是计算公式与上拉输出的情...
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