5M0380R 5M0365R 5M0265R 5M02659R 5M0165RN 5M0165RI 5M0165R 5M0165 5LW-85572-00 5LS1 600/256/100/1.75V
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同台竞技FPGA厂商抢滩市场
...GSERDES,并且在保证低成本的同时还集成了DDR3存储器接口、高性能级联DSPslice,这对于高性能射频、基带和图像信号处理等应用大有裨益。此外,ECP3还能处理1Gbps速率的输入和输出信号,以及带有6.8M位的嵌入式存储器。逻辑密度的范围从17KLUT到149KLUT,用户I/O数目586个。“ECP3主要定位于包括一些主流应用及对成本敏感的市场应用,如企业网络,存储,视频,无线基站以及有线城域接入设...
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嵌入式Linux工程师称:能让低功耗电脑在2.97秒内启动
...测试环境是使用ARM CPU,运行Warp 2的系统,当然Warp 2里包含Linux,X显示子系统,窗口管理器twm,3个 xterm命令行工具。它启动的是一个18.3MB的RAM镜像,花费了2.97秒。而在同样的环境下,启动6.8M的RAM 镜像需要3.17秒。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)
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一种减少全桥变换器环流损耗的策略
...样机。电路的主要参数为:输入直流电压200V;输出直流电压48V;输出最大电流25A;主开关管IGBT (G4PC50FD);嵌位开关管MOSFET(IRF44);变压器原边与副边之比为20:7;变压器的漏感2.4m;嵌位电容6.8m;输出滤波电容470m;输出滤波电感39.2m;整流二极管为BQY28。该样机的最大效率可达到94.2%。 结语本文提出了一种新颖的副边带有有源嵌位电路的ZVZCS-FB-PWM变换器,有效地解决了ZVS-FB-PWM...
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Vishay推出非对称双通道TrenchFET功率MOSFET
...ET利用了非对称结构在优化空间上的效果,在10V和4.5V下的导通电阻低至3.3m和4.3m,在+25℃和+70℃下的最大电流为30A和24A。另外,高边Channel 1 MOSFET的导通电阻也有改善,在10V和4.5V下分别为6.8m和9.0m。 由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接,布线变得更加简单,同时也减小了PCB印制的寄生电感,提高了效率。此外,SiZ710DT的引脚进行了精心布置,输入引脚排在一侧,输出引脚...
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西门子雷达液位计在复杂工况中的测量试验
...之所以不选择中心位置,主要是为了避开中间的加热横管形成的固定干扰影响。 在人孔上临时安装了 LR400 后,上电,在稍稍旋转了一个角度 后,令人惊奇的发现,LR400 能测量到自雷达液位计以下约 6.8m 的目标,用投尺从安装位置测量罐的高度,测得 7.7m,也就是说LR400 已经“突破”两根横管和第一层的圆形加热盘管的影响,测量到了最底部的盘管。在稍后的注水过程中,LR400 在全过程中的表...
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