BUT11A
参数信息：
参数信息：
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：450V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA, 2.5A
电流 - 集电极截止（最大）：1mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：-
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：450V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA, 2.5A
电流 - 集电极截止（最大）：1mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：-
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