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FQB2N50TM

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FQB2N50TM外观图
图像仅供参考,请参阅产品规格书

标准包装:800

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单

系列:QFET™

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

漏极至源极电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.1A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.3 欧姆 @ 1.05A,10V

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