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HY27UF081G2M相关技术应用
其它信息：
高密度NAND Flash存储器：符合大容量存储应用；NAND接口：×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容； 电源电压：3.3V设备Vcc＝2.7～3.6V； 存储器单元阵列：（2K＋64）字节×64页×1024块,（1K＋32）字×64页×1024块； 页面大小：（2K＋64备用的）字节；时钟大小：（128K＋4K各用的）字节； 页面读/编程：随机存取：27μs（最大值）,顺序存取：60ns（最小值）,页编程时间：300μs（典型值）； 复制回编程模式：不受外界缓冲的快速页面复制；高速缓存编程模式：改善编程吞吐量的内部高速缓存； 快速块擦除：块擦除时间：2ms（典型值）； 电子特性：制造商代码,设备代码；芯片使能随意选项：具有微控制器的简单接口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除被锁定；数据的完整性：100000次编程/擦除周期,10年的数据保留；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的FBGA封装
引脚图：
HY27UF081G2M引脚图