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其它信息：
电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(16M+512K)×8位，数据存储器：(512+16)×8位；自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节，块擦除：(16K+512)字节；页读操作：页大小：(512+16)字节，随机存取：10μs(最大值)，串行页访问：50ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据烬留时间；指令存储器操作；上电自动读操作；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装，63引脚的TBGA封装
引脚图：
K9F2808U0C引脚图