SST25VF080B-50-4C-S2A SST25VF080B-50-4C-S2 SST25VF080B-50-4C-S SST25VF080B-50-4C-QAF SST25VF080B SST25VF080A-33-4I-S2A SST25VF080A-33-4E-S2A SST25VF080-33-4I-SAE SST25VF080-33-4E-SAE SST25VF080-33-4C-SAESST25VF080B-50-4C-S2A-F
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参数信息：
制造商: SST
产品种类: 闪存
存储类型: NAND
存储容量: 8 Mbit
结构: Sectored
封装 / 箱体: SOIC-8
定时类型: Synchronous
接口类型: SPI
访问时间: 50 ns
SST25VF080B-50-4C-S2AF相关技术应用
读、写操作电压2.7～3.6V；串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3；高时钟频率：50MHz；高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年； 超低功耗，动态读出电流：10mA(典型值)，待机电流：5μA(典型值)；灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块，均匀的64KB叠加块； 快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：35ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：7μs(典型值)； 自动地址增加(AAI)程序：字节编程操作减少整个芯片的编程时间； 写操作完成监测：软件方法在状态寄存器中查询BUSY位，在SO引脚读出忙碌状态；保持引脚(HOLD＃)：在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列；写保护(WP＃)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法；软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护；温度范围：0～＋70℃(商用级C)，-40～＋85℃(工业级I)；所有无铅装置遵从RoHS标准；温度范围：0～＋70℃(商用级C)
引脚图：
SST25VF080B-50-4C-S2AF引脚图
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