TPC8111(TE12L,Q,M)

标准包装：3,000

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 5.5A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：107nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：5710pF @ 10V

功率 - 最大：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）

包装：带卷 (TR)

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