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TK20A60U

更新时间:2024-04-17 11:19:44
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  • 描述:TK20A60U 2009-09-29 1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ) TK20A60U Switching Regulator Applications ? Low drain-source ON-resistance: R DS (ON) = 0.165 Ω (typ.) ? High forward transfer admittance: ?Y fs ? = 12 S (typ.) ? Low leakage current: I DSS = 100 μA (V DS = 600 V) ? Enhancement-mode: V th = 3.0 to 5.0 V (V DS = 10 V, I D = 1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V DSS 600 V Gate-source voltage V GSS ±30 V DC (Note 1) I D 20 Drain current Pulse (t = 1 ms) (Note 1) I DP 40 A Drain power dissipation (Tc = 25°C) P D 45 W Single pulse avalanche energy (Note 2) E AS 144 mJ Avalanche current (Note 3) I AR 20 A Repetitive avalanche energy E AR 4.5 mJ Channel temperature T ch 150 °C Storage temperature range T stg -55 to 150 °C Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the signif

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