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UPA1952TE-T1-A

更新时间:2024-03-26 20:22:50
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UPA1952TE-T1-A外观图

  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):135 毫欧 @ 1A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.3nC @ 4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):272pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.15W(Ta)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-95
  • 供应商器件封装:SC-95

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