源时,当电路中各项参数确定以后,输出电压是恒定的,而输出电流id则随负载增减而变化; (2)使用电容降压作整流电路时,由于id=0.62c1,可以看出,id与c1成正比,即c1确定以后,输出电流id是恒定的,而输出直流电压却随负载电阻rl大小不同在一定范围内变化。rl越小输出电压越低,rl越大输出电压也越高。 c1取值大小应根据负载电流来选择,比如负载电路需要9v工作电压,负载平均电流为75毫安,由于id=0.62c1,可以算得c1=1.2uf。考虑到稳压管vd5的的损耗,c1可以取1.5uf,此时电源实际提供的电流为id=93毫安。 稳压管的稳压值应等于负载电路的工作电压,其稳定电流的选择也非常重要。由于电容降压电源提供的的是恒定电流,近似为恒流源,因此一般不怕负载短路,但是当负载完全开路时,r1及vd5回路中将通过全部的93毫安电流,所以vd5的最大稳定电流应该取100毫安为宜。由于rl与vd5并联,在保证rl取用75毫安工作电流的同时,尚有18毫安电流通过vd5,所以其最小稳定电流不得大于18毫安,否则将失去稳压作用。 限流电阻取值不能太大,否则会增加电能损耗,同时
一个核心层和很多构建在核心层的两面上的很薄的层构成。核心层的厚度通常主要决定总的封装厚度。结果是,如果通过核心的vccio和vssio路径不是紧密耦合的话,核心层携带很大的电感。核心层决定了片上电容实现的差异性。 图5显示了在球焊点端连接到dc电源的情况下,从盘焊点端看去的封装pdn阻抗情况的频域。电容模型被添加到封装pdn模型上。如在开始所解释的,这个研究专著于封装,因此在阻抗情况图中没有包括电路板的pdn特性。因为认为pcb结构只影响低频阻抗,因此可以不考虑电路板的影响。 电容是一个idc 1.5uf片状电容,具有60毫欧的等效串联电阻(esr)和50ph esl。红线是没有任何封装内电容的封装。图中还分别显示了封装内电容连接到顶层(蓝)和底层(绿)的封装的阻抗情况。从图中可以清楚地看到,在内核下面的电源-地平面上添加电容对于减少阻抗来说影响很小。然而,添加到内核上的电源-地平面的电容在大部分的频率范围内可以减少2~3倍的封装pdn阻抗。 每个封装内电容实现的效用可以通过当电流流过每个pdn配置时产生的相对电源-地噪声来很好地观察,如图6所示。 在图中,下面的线是其中一个带负载的开关i/o的
1.5uf 10% 250v 电容
源变压器作整流电源时,当电路中各项参数确定以后,输出电压是恒定的,而输出电流id则随负载增减而变化;(2)使用电容降压作整流电路时,由于id=0.62c1,可以看出,id与c1成正比,即c1确定以后,输出电流id是恒定的,而输出直流电压却随负载电阻rl大小不同在一定范围内变化。rl越小输出电压越低,rl越大输出电压也越高。c1取值大小应根据负载电流来选择,比如负载电路需要9v工作电压,负载平均电流为75毫安,由于id=0.62c1,可以算得c1=1.2uf。考虑到稳压管vd5的的损耗,c1可以取1.5uf,此时电源实际提供的电流为id=93毫安。 稳压管的稳压值应等于负载电路的工作电压,其稳定电流的选择也非常重要。由于电容降压电源提供的的是恒定电流,近似为恒流源,因此一般不怕负载短路,但是当负载完全开路时,r1及vd5回路中将通过全部的93毫安电流,所以vd5的最大稳定电流应该取100毫安为宜。由于rl与vd5并联,在保证rl取用75毫安工作电流的同时,尚有18毫安电流通过vd5,所以其最小稳定电流不得大于18毫安,否则将失去稳压作用。 限流电阻取值不能太大,否则会增加电能损耗,同时也会增加c2
。 电容压降式电源常用电路有三种,见附图。图中,c1为降压电容,r1为关断电源后剩余电荷的泄放电阻。图a、b中,vd2为半波整流二极管,vd1为电容器c1的放电二极管。图c是桥式整流电路,可向负载提供较大的电流(如100ma左右)。 通过降压电容c1向直流负载提供的电流,实际上是流过c1的充放电电流。c1容量越大,容抗xc越小,则流经c1的充、放电电流越大。因此,通过适当选取c1的容量,即可获得所需要的电流输出。当然,这类简易型整流稳压电源的输出电流一般应控制在100ma以内。例如:1.5uf [ 3.91 kb 469×436 ] (缩略时请点击查看原图)