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将被测量电容 (cx) 充电到固定电压，然后被测电容通过回路放电，电流表测量出流过 47 ω电阻的电流。 因为 555 定时器每秒钟重复这个过程几次，使得电流表的指针保持稳定。 电流会因电容容量的大小而不同，即电流表指针会根据被测电容的容量作相应的偏转，也就是说，电容容量与线路电流的比例是线性的，就像用于测量电压和电流的万用表。 此表有五个挡位，从 100pf 到 1μf ，通过一只两极五挡开关切换，另外，开关× 10 用于测量较大容量的电容，电流分成两路，测量100pf 、 1000pf 、 0.01μf 、 0.1μf 或 1μf 以上电容显示更准确。 元器件的精确度不是十分完善的。即使是最好的器件。一般九只电阻也考虑有 2 ％的误差。如果没有 oa47 二极管。可用 oa91 或 oa95 锗二极管代替。将此电路装入一只塑料盒中，与万用表差不多大，但是稍深一点更好。在财力许可下，测试仪的测量仪表要尽可能大，因为它决定了测量显示的精确度。你购买的电流表量程为 o ～ 50 微安，但是刻度要从 0 到 100 偏转 ( 即原有的刻度 10 、 20 、 30 、 40 、
n 沟道功率 mosfet。这个驱动器与功率 mosfet 和一个凌力尔特公司的dc/dc控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 dc 开关。 这个强大的驱动器以 1.2ω 下拉阻抗驱动高端 mosfet 时可以提供高达 2.5a 的电流，而以 0.55ω 下拉阻抗驱动同步 mosfet 时可提供 3a 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动一个 1000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 mosfet 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。 ltc4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114v 时还可以工作。另外，该器件在 7.2v 至 13.5v 的电压范围内同时驱动高端和低端 mosfet 栅极。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐热增强型 msop-8 封
压(100v)同步mosfet驱动器ltc4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的n沟道mosfet。这个驱动器可与功率mosfet以及凌力尔特公司的很多dc/dc控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 这个强大的驱动器可采用1.2ω的下拉阻抗和提供高达2.5a的电流以驱动高端mosfet，而采用0.55ω下拉阻抗可提供3a电流以驱动低端mosfet，非常适用于驱动高栅极电容、大电流mosfet。ltc4444还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动1000pf负载时，高端mosfet的8ns快速上升时间、5ns下降时间和低端mosfet的6ns上升时间、3ns下降时间最大限度地减小了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护，以最大限度地缩短死区时间，同时防止高端和低端的mosfet同时导通。 ltc4444为两个不受电源影响的输入而配置。高端输入逻辑信号的电平从内部被移位到自举电源，这可能在比地高114v时正常工作。另外，这个器件在7.2v至13.5v的范围内驱动高端和低端的mosfet栅极。ltc4444ems8和ltc4444ims8都采用
的高端和低端 n 沟道功率 mosfet。这个驱动器与功率mosfet和一个凌力尔特公司的dc/dc控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 dc 开关。 这个强大的驱动器以1.2ω下拉阻抗驱动高端 mosfet 时可以提供高达 2.5a 的电流，而以 0.55ω 下拉阻抗驱动同步 mosfet时可提供 3a 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动一个 1000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 mosfet 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。 ltc4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114v 时还可以工作。另外，该器件在 7.2v 至 13.5v 的电压范围内同时驱动高端和低端 mosfet 栅极。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐热增强型 msop-8 封装，以 10
4，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 n 沟道 mosfet。这个驱动器可与功率 mosfet 以及凌力尔特公司的很多 dc/dc 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 这个强大的驱动器可采用 1.2ω 的下拉阻抗和提供高达 2.5a 的电流以驱动高端 mosfet，而采用 0.55ω 下拉阻抗可提供 3a 电流以驱动低端 mosfet，非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4444 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动 1000pf 负载时，高端 mosfet 的 8ns 快速上升时间、5ns 下降时间和低端 mosfet 的 6ns 上升时间、3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护，以最大限度地缩短死区时间，同时防止高端和低端的 mosfet 同时导通。 ltc4444 为两个不受电源影响的输入而配置。高端输入逻辑信号的电平从内部被移位到自举电源，这可能在比地高 114v 时正常工作。另外，这个器件在 7.2v 至 13.5v 的范围内驱动高端和低端的 mosfet 栅极。
n 沟道功率 mosfet。这个驱动器与功率 mosfet 和一个凌力尔特公司的 dc/dc 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 dc 开关。 这个强大的驱动器以 1.2ω 下拉阻抗驱动高端 mosfet 时可以提供高达 2.5a 的电流，而以 0.55ω 下拉阻抗驱动同步 mosfet 时可提供 3a 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动一个 1000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 mosfet 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。 ltc4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114v 时还可以工作。另外，该器件在 7.2v 至 13.5v 的电压范围内同时驱动高端和低端 mosfet 栅极。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐热增强型 msop-8 封装，以
中的高端和低端 n 沟道功率 mosfet。这个驱动器与功率mosfet和一个凌力尔特公司的dc/dc控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 dc 开关。 这个强大的驱动器以1.2ω下拉阻抗驱动高端 mosfet 时可以提供高达 2.5a 的电流，而以 0.55ω 下拉阻抗驱动同步 mosfet时可提供 3a 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动一个 1000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 mosfet 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。 ltc4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114v 时还可以工作。另外，该器件在 7.2v 至 13.5v 的电压范围内同时驱动高端和低端 mosfet 栅极。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐热增强型 msop-8 封装，以
低端 n 沟道功率 mosfet。这个驱动器与功率 mosfet 和一个凌力尔特公司的dc/dc控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 dc 开关。 这个强大的驱动器以 1.2ω 下拉阻抗驱动高端 mosfet 时可以提供高达 2.5a 的电流，而以 0.55ω 下拉阻抗驱动同步 mosfet 时可提供 3a 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动一个 1000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 mosfet 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。 ltc4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114v 时还可以工作。另外，该器件在 7.2v 至 13.5v 的电压范围内同时驱动高端和低端 mosfet 栅极。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐热增强型 msop-8 封装，以
n 沟道功率 mosfet。这个驱动器与功率 mosfet 和一个凌力尔特公司的 dc/dc 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 dc 开关。 这个强大的驱动器以 1.2ω 下拉阻抗驱动高端 mosfet 时可以提供高达 2.5a 的电流，而以 0.55ω 下拉阻抗驱动同步 mosfet 时可提供 3a 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动一个 1000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 mosfet 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。 ltc4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114v 时还可以工作。另外，该器件在 7.2v 至 13.5v 的电压范围内同时驱动高端和低端 mosfet 栅极。 ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐热增强型 msop-8 封装，以
°c 的节温范围内工作，而 i 级版本的工作温度范围为 -40°c 至 125°c。 该器件集成了自适应贯通保护功能，以最大限度地缩短死区时间，同时防止高端和低端 mosfet 同时导通。这些强大的驱动器在 1.5ω 下拉阻抗时能提供高达 1.4a 以驱动高端 mosfet，在 0.75ω下拉阻抗时则能提供 1.75a 以驱动低端 mosfet，从而使该器件非常适用于驱动大栅极电容、大电流 mosfet。ltc4444h/-5 可驱动多个并联的 mosfet，以用于较大电流的应用。当驱动 1000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns上升时间、5ns 下降时间和低端 mosfet 的 6ns 上升时间、3ns 下降时间可最大限度地降低开关损耗。 ltc4444h/-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高端输入逻辑信号的电平从内部移位至自举电源，该信号可在比地高 114v 时工作。ltc4444-5 在 4.5v 至 13.5v 的范围内驱动高端和低端的 mosfet 栅极，而 ltc4444 则在 7.2v 至 13v 的范围内驱动高端和低端的 mosfet 栅极。
相关元件pdf下载：log101 log104 如图所示为log101／104的信号和电源的基本连接电路。信号电流i1、i2输入1脚和8脚，3脚输出电压vout=(1v)·log(i1／i2)。为了减小导线电感的影响，正、负电源端必须加去耦电容，采用10μf钽电容和1000pf瓷介电容并联构成去耦电容，其中1000pf瓷介电容主要用于滤除高频噪声。
的通断、计数器的启动、停止及完成系统中其它任务。 脉宽调制电路主要由阻容电路、单稳态电路(如74ls/hc123)组成。该电路主要用于调整各驱动脉冲之间的相位关系。74ls(hc)123是可重触发单稳态触发器。在触发脉冲的上升沿(接b端)或下降沿(接a端)的作用下，输出q为高电平，经过延时tw后，输出q返回低电平；如果输出高电平期间，触发脉冲又到来，则高电平又会从此刻延时tw，因此如果触发脉冲在高电平期间不断到来，则高电平将要被无限期的延迟，即输出为高电平；当外接电阻为r且电容 c>1000pf时，tw=0.45 * r *c 。 图1驱动电路原理图 系统实例 系统组成 本系统用于测量螺旋桨转动过程中的桨叶的偏振角。由于螺旋桨具有刚性，其转动过程中不仅存在摆动，而且存在振动，对其偏摆角的测量需要在螺旋桨转动过程中采集其瞬态的位置，利用ccd的成像特性，将螺旋桨瞬态的位置信息通过ccd成像，光信号转换为电荷信号，经过信号处
如图所示是采用sg3524构成的输出电压为5v，输出电流为5a的稳压电路。sg3524是该电源的核心，并直接向功率转换电路的开关功率管提供脉宽调制新号；管脚6和7对地分别接有2kω电阻和0.02μf电容，由此确定其开关频率；电阻r1，r2提供取样电压经管脚1引入比较放大器的反相输入端；管脚9对地接有串联1000pf电容和20kω电阻，以实现频率补偿；管脚11和14直接与外接开关功率管vt1、vt2基极相连，电阻r3，r4经管脚12和13引入作为sg3524输出管的负载；限流电阻r7经管脚4和5引入过流保护电路，其值决定输出电流的极限值。市电经电源变压器和整流滤波电路，得到的未稳压的直流电，从管脚15加入sg3524以及通过高频变压器加到vt1、vt2管集电极，则该电源投入正常运行。 来源:bill
万用表测电容附加电路图 如图所示电路为万用表测电容附加电路图。该电路中ne555与r1，r2及cl~c6组成脉冲振荡器，它的输出脉冲频率随着c1~c6的分别接入而不同，其频率为100khz、10khz、1khz，100hz, 10hz和1hz共分6挡。对应的电容测量范围为: 100pf、1000pf、0.01μ 、0.1μf、1μf和10μf。万用表测电容附加电路采用一只单8路模拟开关cd4051作为换挡开关，由于它是通过电路内的晶体管的导通与截止作为开关控制，所以不会产生机械式开关的接触不良现象。cd4051是一种由二进制数控制的电子开关，它通过按钮开关sb1~sb3的不同组合，组成6挡测量转换。 来源:zhengliping
如图所示为电容器测量电路，可测量1uf以内的电容量，分为5个量程：100pf、1000pf、0.01uf、0.1uf和1uf.电路中ica的输出脉冲的下跳变沿经cs、rs微分后去触发icb.icb输出的平均值电压或电流正比于cx,平均值电流将由电表指示。w1用于调整满刻度，cx接1uf或0.1uf标准容量电容器，调w1使表头指示满度值。w2~w4是调零电阻器，因为7556输出直流失调电压对各量程的影响略有不同，故分开调零。 来源:阴雨
电容值倒底该怎么读阿？ 昨天上网去查了一下说102为1000pf的电容，10后面两个零，今天去电子城买1000pf的电容，电阻给我的是103，我说拿错了，他使劲说没错，他说是1后面三个零，现在搞混了，10x该怎么读，是10后面x个零还是1后面x个零呢？
”声。如果不响，则是线圈断了，如果响声小而尖，则是有擦圈问题，也不能用。 2、测电容：用电阻档，根据电容容量选择适当的量程，并注意测量时对于电解电容黑表笔要接电容正极。①、估测微波法级电容容量的大小：可凭经验或参照相同容量的标准电容，根据指针摆动的最大幅度来判定。所参照的电容不必耐压值也一样，只要容量相同即可，例如估测一个100μf/250v的电容可用一个100μf/25v的电容来参照，只要它们指针摆动最大幅度一样，即可断定容量一样。②、估测皮法级电容容量大小：要用r×10kω档，但只能测到1000pf以上的电容。对1000pf或稍大一点的电容，只要表针稍有摆动，即可认为容量够了。③、测电容是否漏电：对一千微法以上的电容，可先用r×10ω档将其快速充电，并初步估测电容容量，然后改到r×1kω档继续测一会儿，这时指针不应回返，而应停在或十分接近∞处，否则就是有漏电现象。对一些几十微法以下的定时或振荡电容（比如彩电开关电源的振荡电容），对其漏电特性要求非常高，只要稍有漏电就不能用，这时可在r×1kω档充完电后再改用r×10kω档继续测量，同样表针应停在∞处而不应回返。 3、在路测二极管、三极管、
”声。如果不响，则是线圈断了，如果响声小而尖，则是有擦圈问题，也不能用。 2、测电容：用电阻档，根据电容容量选择适当的量程，并注意测量时对于电解电容黑表笔要接电容正极。①、估测微波法级电容容量的大小：可凭经验或参照相同容量的标准电容，根据指针摆动的最大幅度来判定。所参照的电容不必耐压值也一样，只要容量相同即可，例如估测一个100μf/250v的电容可用一个100μf/25v的电容来参照，只要它们指针摆动最大幅度一样，即可断定容量一样。②、估测皮法级电容容量大小：要用r×10kω档，但只能测到1000pf以上的电容。对1000pf或稍大一点的电容，只要表针稍有摆动，即可认为容量够了。③、测电容是否漏电：对一千微法以上的电容，可先用r×10ω档将其快速充电，并初步估测电容容量，然后改到r×1kω档继续测一会儿，这时指针不应回返，而应停在或十分接近∞处，否则就是有漏电现象。对一些几十微法以下的定时或振荡电容（比如彩电开关电源的振荡电容），对其漏电特性要求非常高，只要稍有漏电就不能用，这时可在r×1kω档充完电后再改用r×10kω档继续测量，同样表针应停在∞处而不应回返。 3、在路测二极管、三极管
只 129 电阻r15 6.8k,0.25w 只 130 电阻r16 330,0.25w 只 131 电阻r17 330,0.25w 只 132 电阻r18 2.2k,0.25w 只 133 微调电位器rp1 2.2k,0.25w-0.5w 只 134 微调电位器rp2 1m,0.25w-0.5w 只 135 涤纶电解电容器c1 1000pf 只 136 涤纶电解电容器c2 1000pf 只 137 电解电容器c3 470uf/16v 只 138 电解电容器c4 47uf/16v 只 139 电解电容器c5 47uf/16v 只 140 电解电容器c6 22uf/16v 只 141 电解电容器c7 470uf/16v 只 142 电解电容器c8 100uf/16v
“哒”声。如果不响，则是线圈断了，如果响声小而尖，则是有擦圈问题，也不能用。 2、测电容：用电阻档，根据电容容量选择适当的量程，并注意测量时对于电解电容黑表笔要接电容正极。①、估测微波法级电容容量的大小：可凭经验或参照相同容量的标准电容，根据指针摆动的最大幅度来判定。所参照的电容不必耐压值也一样，只要容量相同即可，例如估测一个100μf/250v的电容可用一个100μf/25v的电容来参照，只要它们指针摆动最大幅度一样，即可断定容量一样。②、估测皮法级电容容量大小：要用r×10kω档，但只能测到1000pf以上的电容。对1000pf或稍大一点的电容，只要表针稍有摆动，即可认为容量够了。③、测电容是否漏电：对一千微法以上的电容，可先用r×10ω档将其快速充电，并初步估测电容容量，然后改到r×1kω档继续测一会儿，这时指针不应回返，而应停在或十分接近∞处，否则就是有漏电现象。对一些几十微法以下的定时或振荡电容（比如彩电开关电源的振荡电容），对其漏电特性要求非常高，只要稍有漏电就不能用，这时可在r×1kω档充完电后再改用r×10kω档继续测量，同样表针应停在∞处而不应回返。 3、在路测二极管、三极管、稳
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