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浅谈电容器测试的挑战与方案
的非理想特性之一，用绝缘电阻（ir）来描述。对于给定的介质材料，其有效并联电阻与电容成反比。这是因为电阻与介质的厚度成正比，与电容面积成反比。电容与面积成正比，与分开的距离成反比。因此，用于量化电容器漏电的常用单位是电容与泄漏电阻的积，通常用兆欧姆-微法拉（mω f）表示。绝缘电阻值取决于电介质理论上，电容器的电介质可由任意非导电物质组成。但在实际应用中，使用的材料要最适于电容器的功能。例如聚苯乙烯、聚碳酸酯或teflon等聚合物介质。根据所使用的具体材料和纯度，其绝缘电阻范围可从104mω？μf至108mωμf.例如，1000pf的teflon电容器具有高于1017ω的绝缘电阻，就记为>108mωμf.诸如x7r或npo等陶瓷的绝缘电阻范围可从103mωμf至106mωμf.电解电容器（例如钽或铝）的泄漏电阻相对低得多，通常从1mωμf至100mωμf.例如，4.7μf铝电容如果规定为50mωμf,那么其绝缘电阻至少为10.6mω。电容器漏电的测试方法图2示出了电容器漏电测试的常规电路。在这个电路中，在电容器（cx）上施加一段延迟时间的电压后用安培表测量电流。

Vishay Siliconix推出新款双芯片P沟道器件
---sia923edj。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型powerpak sc-70封装，具有8v栅源电压和迄今为止双芯片p沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的 sia923edj可用于dc-dc转换器，以及智能手机、mp3播放器、平板电脑和电子书等手持设备中的充电和负载开关。更低的mosfet导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在这些设备中节省电能并延长两次充电之间的电池寿命。 sia923edj在4.5v、2.5v、1.8v和1.5v时分别具有54mω、70mω、104mω和165mω的超低导通电阻。具有8v栅源电压等级且性能最接近的p沟道器件在4.5v、2.5v、1.8v和1.5 v时的导通电阻为60mω、80mω、110mω和170mω，分别比sia923edj高10%、12%、5%和3%。 mosfet在1.5v电压下就能导通，因而能够配合手持设备中常用的电压更低的栅极驱动器和更低的总线电压一起工作，不需要在电平转换电路上浪费空间和成本。sia923edj的低导通电阻使其在峰值电流下的电压降更小，能够更好地防止有害的欠压锁定事件。紧凑的2mmx 2m
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET
间和成本。sia923edj的低导通电阻使其在峰值电流下的电压降更小，能够更好地防止有害的欠压锁定事件。紧凑的2mmx 2mm powerpak sc-70封装只有tsop-6的一半大小，而导通电阻则相近或更佳，并且在相同环境条件下的散热多65%。新款mos管采用2mm x 2mm占位面积的热增强型powerpak sc-70封装，具有8v栅源电压和迄今为止双芯片p沟道器件所能达到的最低导通电阻。sia923edj在4.5v、2.5v、1.8v和1.5v时分别具有54mω、70mω、104mω和165mω的超低导通电阻。具有8v栅源电压等级且性能最接近的p沟道器件在4.5v、2.5v、1.8v和1.5 v时的导通电阻为60mω、80mω、110mω和170mω，分别比sia923edj高10%、12%、5%和3%。 sia923edj经过了100%的rg测试，符合iec 61249-2-21的无卤素规范及rohs指令2002/95/ec。mosfet的典型esd保护达2500v。 sia923edj与此前发布的具有12v最大栅源电压等级的20v sia921edj p沟
电路板测试、检验及规范
与"体积电阻"(volume resistance) ，再代入下列公式即可分别求得两种"电阻率"：1.表面电阻率 r’＝r’ p／d4；r’为测之表面电阻值； p为接地铜盘的周长(cm) ；d4为环与盘两者之间的空距宽度。2.体积电阻率 r＝ra／t；r为实测体积电阻值； t为板材平均厚度(cm) ；a为铜环之面积。按美军板材规范mil-s-13949h／4d(1993. 10)的规定，常用板材 fr-4表面电阻率之下限为104mω，体积电阻率之下限为106mω。 70、taper pin gauge锥状孔规是一种逐渐变细的锥状长形针状体，可插入通孔检测多种孔径，并有表面读值呈现所测数据，堪称甚为方便。 71、taber abraser泰伯磨试器是利用两个无动力的软质砂轮，将之压附在被试磨的样板表面上，而此样板则另放置在慢速旋转的圆形平台上。当开动马达水平转动时，该样板的水平转动会驱使两配重的砂轮做互为反动的转动，进而对待试验的表面，在配重压力下进行磨试。例如在已印绿漆的 ipc-b-25 小型试

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