当前位置:维库电子市场网>IC>15pf 更新时间:2024-04-24 15:30:16

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  • 无需重新设计就可升级到高速USB手机的方法

    端电阻和走线阻抗的额外误差,对兼容抱有希望将是不切实际的想法。 图3中左下角的眼图代表信号路径中的走线串联阻抗增加了10ω。要注意的是,上下边界由于走线串联电阻的增加被压扁了。虽然这仍是一个合格的眼图,但误差余量实在是太小了。 即使增加开关电阻后电平仍落在可接受的范围内,但在考虑了各种容差后,开关可能以另外的方式影响眼图。开关还会增加走线的电容,从而降低边沿斜率(上升和下降沿)。这将导致眼图阴影区域的角部被裁剪掉,无法满足规定要求。 比如假设开关a的电容是5pf,开关b的电容是15pf。围绕眼图阴影部分的区域(余量)将由于开关b比开关a多出10pf的电容而减少50%。目前典型开关在打开时的电容在6到15pf之间。图3中右上角的眼图是增加了15pf电容后失真的眼图。 如果开关只是增加串联电阻或电容,那么有可能不会引起任何问题。但现实情况是开关会同时增加电阻和电容,这种组合情况会导致眼图产生真正的问题。假设最理想的开关具有很低的串联电阻和电容。较低的串联电阻会使眼图的上下边向中心靠拢,从而减小误差余量。电容会使边沿变化变得缓慢,并切入眼图的阴影部分,最终导致hs usb信号

  • 利用运算放大器电路精确控制光的强度

    么rg应该为0.2×10e-6或20.0k。 采用一个4.7k的电阻来限制pn200a pnp晶体管基极电流,该电阻将电流限定在1ma左右。该晶体管的(值约为100,因此它所提供的最大电流约为100ma,这已经超出小型sot-23封装的散热范围。为防止晶体管的过高热量,将一个限流电阻与led或激光二极管串联,使该二极管达到最大工作负荷,从而限定晶体管集电极的电流。如果需要更大的电流,则须选用集电极电流大的晶体管,而且要采用sot-223等较大的封装。为了限定电路带宽以维持稳定性,选用一个15pf的电容与光电二极管电容并联(在1.2vbias时其电容大小也约为15pf),从而将放大器的工作频率限定在250khz左右。 来源:lidy

  • TMS320VC33控制的地震记录仪设计

    有效数据。 1.3 dsp功能实现 tms320vc33是ti公司生产的高性能浮点数字信号处理芯片,根据dsp芯片本身的特点需要考虑几个方面: (1) 电源供给 dsp本身使用3.3v工作电压,使用1.8v锁向环电压,需要采用ti公司推荐的电源芯片tps767d318将+5v电源电压转换成3.3v和1.8v。 (2) 晶振产生电路 根据使用的晶振不同采用的晶体振荡起振电阻和电容不同,这里采用10m晶振,起振电阻和电容分别选用470欧姆和15pf电容。 (3) 锁向环电路 锁向环需要采用推荐电路,注意用的电阻分别为100欧姆和103电容。 (4) 电平转换电路 由于dspvc33只能接受3.3v电平信号,因此需要用电平转换芯片74lvt245进行电平转换,同时考虑对74lvt245的读写逻辑操作。 1.4 计算机接口电路设计 计算接口电路框图如图2所示。 计算机接口电路主要完成计算机与dsp通信的功能。计算机通过给dsp一个硬件中断向dsp发送数据,当ds

  • 如何根据相关参数选择合适的晶振

    锁相环技术的振荡器一般呈现较差的相位噪声性能。 抖动与相位噪声相关,但是它在时域下测量。以微微秒表示的抖动可用有效值或峰—峰值测出。许多应用,例如通信网络、无线数据传输、atm 和sonet 要求必需满足严格的拌动指标。需要密切注意在这些系统中应用的振荡器的抖动和相位噪声特性。 电源和负载的影响 振荡器的频率稳定性亦受到振荡器电源电压变动以及振荡器负载变动的影响。正确选择振荡器可将这些影响减到最少。设计者应在建议的电源电压容差和负载下检验振荡器的性能。不能期望只能额定驱动15pf 的振荡器在驱动50pf 时会有好的表现。在超过建议的电源电压下工作的振荡器亦会呈现坏的波形和稳定性。 对于需要电池供电的器件,一定要考虑功耗。引入3.3v 的产品必然要开发在3.3v 下工作的振荡器。----较低的电压允许产品在低功率下运行。现今大部分市售的表面贴装振荡器在3.3v 下工作。许多采用传统5v 器件的穿孔式振荡器正在重新设计,以便在3.3v 下工作。 封装 与其它电子元件相似,时钟振荡器亦采用愈来愈小型的封装。例如,m-tron 公司的m3l/m5l系列表面贴装

  • 基于CSMC工艺的零延时缓冲器的PLL设计

    明,与高增益结构相比,较低的vco 增益会使由耦合噪声抖动大大减小。 图5 为该pll 的版图,整个版图面积为1.2μm×1.7μm,版图设计使用的是cadence virtuoso 工具,在 设计中注意完全对称规则,抑制共模噪声。 另外,整个芯片包括许多数字控制电路,为了抑制其引入衬 底噪声采用隔离环进行隔离,并将数字电路与模拟电路尽量远离,实现电源、衬底和地的很好的隔离。 结论:本文采用csmc 0.5um 工艺设计了一款用于零延时缓冲器的pll,仿真结果表明,在负载电 容为15pf 时的周对周抖动为45ps,在满足各项要求的同时实现了时钟所要求的低抖动性能。完全满足 零延迟时钟缓冲器的要求,本设计产品已通过j750 的测试,证明符合应用要求。 本文的创新点在于采用了共源共栅结构的电流源提供充放电点流,增大输出阻抗,当控制电压有微 小变化时不会引起点流发生大的变化,因此这种结构能提供更好的匹配点流。另外,压控振荡器两个输 入对管的衬底接法也是本文的创新点,能有效的抑制衬底噪声。 参考文献:[1]. m4 datasheet http://www.dzsc.com/

  • 恩智浦推出超薄EMI滤波器,集成了最高水平的ESD保护功能

    ate and etching)技术,灵活地在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp提高了“silicon to plastic”比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,因而非常适合高频应用。 目前可用的恩智浦其他的utlp产品包括ip4221cz6-xs esd保护芯片,其间距为创记录的0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的ip4253和ip4254 emi滤波器现已以4、6和8信道配置开始供货,其元件特性值分别为15pf–100?-15pf 和15pf–200?-15pf。完全符合rohs要求的无铅型和无卤素塑胶材料的绿色封装型都已开始量产。

  • 石英晶体谐振器术语以及应用指南

    3、 调整频差:在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许偏差。 5、 老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用c0表示。 7、 负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容,通常用cl表示。负载电容系列是:8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值:10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率(fl):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻:串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻:在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl=r1(1+c

  • 石英晶体谐振器

    的频率。 3、 调整频差:在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许偏差。 5、 老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用c0表示。 7、 负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容,通常用cl表示。负载电容系列是:8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值:10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率(fl):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻:串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻:在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl=r1(1+c0/cl

  • NXP新款EMI滤波器具备业界最高的ESD保护水平

    蚀刻(substrate and etching)技术,在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp提高了“silicon to plastic”比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,适合于高频应用。 目前可用的恩智浦其他的utlp产品包括ip4221cz6-xs esd保护芯片,其间距为创记录的0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的ip4253和ip4254 emi滤波器现已以4、6和8信道配置开始供货,其元件特性值分别为15pf-100ω-15pf和15pf-200ω-15pf。完全符合rohs要求的无铅型和无卤素塑胶材料的绿色封装型都已开始量产。

  • 真空管特性规格

    3等直热式的整流管都是使用这种ux-type的管座的。 极间电容 在表一中还有一个很重要的参数,就是「极间电容」,也就是真空管极与极之间的电容。 真空管的各极都是导体,其间也经常有电位差,因此它们有电容的作用,三极管中有「栅─屏」、「栅─阴(丝)」与「屏─阴」三种极间电容,例如we300b的三个极间电容量,栅与屏之间是15pf,栅与灯丝之间是9pf,屏与灯丝之间是4.3pf,虽然这些极间电容都很小,但是这些小电容却会影响到高频回应,极间电容愈大,高频回应就愈差。这些参数只要代pspice就可以了大致让我们估算一下频率响应。 原厂推荐操作实例 所有真空管手册都有原厂提供的推荐操作实例表,不同的工作点,不同的负载,会得到不同的输出功率以及不同的失真率。如果您不想自己依照真空管的特性曲线设计时,可径参考原厂推荐操作实例照着装就行了。 真空管的三参数 gm-μ-rp (真空管的动态特性)

  • 一款优秀的分立元件发射机电路英文

    scillator to be a reliable starter. the frequency of the oscillator is determined by l1 and the 22pf trimmer capacitor and functions in the range of about 76mhz to 119mhz using the pcb i have made. tr1 = bc547 tr2 = bc547 tr3 = 2n3866 or 2n4427 the 15pf capacitor couples the top of l1 to the varicap diode which serves to add more capacitance to the tuned circuit to alter the frequency. r1 adds the supply voltage to the varicap, with a little noise decoup

  • 采用1n4007设计良亮MT9828型调光台灯电路

    1n4007,整流二极管:较强的正向浪涌承受能力:30a;最大正向平均整流电流:1a;最高反向耐压:1000v;低的反向漏电流:5ua(最大值);正向压降:1.0v;最大反向峰值电流:30ua;典型热阻:65℃/w;典型结电容:15pf;工作温度:-50℃~+150℃;封装:do-41 来源:admin

  • 采用1N4007实现好时达LC-977B年历触摸调光台灯电路

    1n4007整流二极管:较强的正向浪涌承受能力:30a;最大正向平均整流电流:1a;最高反向耐压:1000v;低的反向漏电流:5ua(最大值);正向压降:1.0v;最大反向峰值电流:30ua;典型热阻:65℃/w;典型结电容:15pf;工作温度:-50℃~+150℃;封装:do-41 来源:admin

  • 6.5兆赫的可变频振荡器

    固定值的陶瓷电容是光盘陶器,c1,c4,c5,c6和c8是npo陶瓷或聚苯乙烯。c2是25pf的陶瓷微调,c3是一个15pf的微型空气可变电容器。这些电阻是1/4w的碳膜或混合物。 来源:zhenglili

  • 铁路专用150MHz超短波干扰定向仪电路

    a。2. 管脚排列及功能 mc145152的管脚排列如图2所示。采用28脚dip封装,各管脚功能如下: 引脚4、5、6(ra0、ra1、ra2)为参考地址码输入端,用于选择参考分频器的分频比。通过12×8rom参考译码器和12bit÷r计数器进行编程。分频比有8种选择,其参考地址码与分频比的关系见表1所列。 引脚26、27(oscin、oscout)为参考振荡端,当两引脚接上一个并联谐振晶体时,便组成一个参考频率振荡器。但在oscin到地和oscout到地之间一般应接上频率置定电容(一般为15pf左右)。oscin也可作为外部参考信号的输入端。 引脚1(vco)为输入信号端,将输入信号交流耦合到本引脚,其输入信号频率应小于30mhz。 引脚10、21~25(a5~a0)为6bit÷a计数器的分频端。其预置数决定了÷v/(v+1)双模前置频器的÷v/(v+1)的次数。 引脚11~20(n9~n0)为10bit÷n计数器的分频端。 引脚7、8(φv、φr)为鉴相器双输出端,用于输出环路误差信号。如果fv>fr或fv的相位超前fr,则φv变为低电平而φr仍为高;如果fv<f

  • 怎么解决PCF8583时钟芯片的误差?

    怎么解决pcf8583时钟芯片的误差?我用这个芯片做了个数字时钟,走了一天就快近2分钟?请高人指点?芯片接了15pf的微调电容还是不行!

  • 请教7289B硬件电路不工作,怀疑为晶振不起振,换了晶振还不行

    调节电容为15pf,晶振16m

  • 求教:74HC04震不起来7MHz以下的晶体(附图)

    求教:74hc04震不起来7mhz以下的晶体(附图)74hc04为什么震不起来7mhz以下的晶体,这是我的起振电路,vcc加的是5v,晶体加10-20mhz的时候,起振正常,幅度峰峰值在1v以上,可如果加6mhz左右的晶体,就不能正常起振,调整c78和c81为15pf,依然不起振,图中所有的阻容都是用的0805封装的贴片元件,7404用的是so14封装,望高手指点。

  • 74HC04为什么震不起来7MHz以下的晶体

    74hc04为什么震不起来7mhz以下的晶体74hc04为什么震不起来7mhz以下的晶体,这是我的起振电路,vcc加的是5v,晶体加10-20mhz的时候,起振正常,幅度峰峰值在1v以上,可如果加6mhz左右的晶体,就不能正常起振,调整c78和c81为15pf,依然不起振,图中所有的阻容都是用的0805封装的贴片元件,7404用的是so14封装,望高手指点。

  • 哪里有零售的NPO电容

    哪里有零售的npo电容急购npo电容,500v,15pf,封装不限,网上的电子公司一次都必须订购几k个,有没有朋友购买过这种电容,那位朋友帮我想想办法,我只有50个,贵点没关系.

15pf替代型号

15NH 15N60 15MQ040NTR 15MHZ 1590LB 1585A 157G 1575.42MHZ 156M 155C

15S2TH06FP 15STH06FP 15UH 15V3A 16.000MHZ 16.368MHZ 16.369MHZ 16.384 16.384M 16.384MHz

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