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以及两个用于usb主机和lcd控制器的专用dma)，同时连接到片上外设，以及内置或外置的存储器上。此外，atmel已经扩展了基于arm7 mcu的外设dma控制器，在at91sam9261中增加了19条pdc通道。pdc的作用是为外设及存储器之间传输数据，这样既可分担cpu的工作量，而且也能提高数据传输率，并让arm9处理器专注于繁重的计算任务。 大容量片上sram和灵活的确定过程式tcm支持机制 at91sam9261设有16k字节的数据高速缓存、16k字节的指令/写操作缓存、160k字节的200 mhz单循环存取sram，以及usb器件专用的2k字节内置式dpram。atmel公司充分发挥了arm926ej-s紧密式耦合内存(tightly coupled memory, tcm)构架之优势，让传统(非高速缓存)sram直接连接到arm处理器上、而不会出现滞后情况。at91sam9261的独立指令和数据缓存能支持wince和linux操作系统；而其基于tcm构架的sram区块则是“确定过程式”实时操作系统的理想安排。另一方面，160k字节的片上sram可划分成多个16k字节
下问题： error connecting to the target: error 0x80000240/-172 fatal error during: initialization, ocs, this error was generated by ti\'s uscif driver. 2、问题分析 网上有师兄提到： 你看下ccs里面 cc 文件夹下bin里面的 xdsfast.dll这个文件是多大的 你装了510的驱动应该是352k左右 如果是160k的话 可能是你的去没有装好 建议你重新装下驱动。 果不其然，我安装ccs里面的xdsfast.dll还真是160k，找到问题所在了。 3、问题解决 操作如下： 1、把原来的xdsfast文件删掉重新安装驱动（d:\ccstudio_v3.3\cc\bin\xdsfast3.dll）； 2、重新安装seed-xdsusb_ccs3.3。 查看xdsfast3.dll文件大小，变为352k了，再度尝试连接，okay~！ 五、在setup ccstudio v
，两个16位数据写总线和五个24位地址总线。其内部的两个mac单元采用并行操作，每个单元可在单周期内同步完成17x17位乘法运算。这样，c5510可更快地执行指令，并迅速返回到待机或下电状态，从而改进性能，并降低芯片的整体功耗。 c5510沿用了c54x dsp的高代码密度的标准指令集。通过可扩展的指令长度（8位-48位），将编译后代码的长度减小了30%,优化的内存的使用。 由于使用c55x芯核，该产品的性能达到400mmacs,功耗只有c54x系列dsp的六分之一。 c5510提供160k字片内sram,减少了功耗较大的片外存取。同时，它还具有一个外部存储器接口（emif），支持低成本的外部存储器，例如sdram,以及高速片外同步存储器，像sbsram. dsp的三个多通道缓冲串行口每个可以支持128通道，速度达每秒100兆位。六个直接存取器（dma）每时钟周期可进行两次存取，使吞吐量达到c54zdsp的10倍。 c5510的设计者可以得到ti的开发平台和许多第三方应用程序开发商的支持。ti的expressdsp tm实时软件工具包包括code composer stud
低至少50%。举例来说，按中等批量（50000件）计算，一个 1 m 至 2m 门 fpga 和 arm7 微控制器、2芯片解决方案的市场价格介于13美元至20美元之间。由于单位价格低于6美元，cap7 能够使成本降低一半以上。此外，与一至两瓦 fpga 解决方案相比，通过 80mhz cap7，设计者能够使性能加倍，并将功耗降低90%。 可用于基于 arm7 的设计。cap7 产品初始版本包括基于 arm7tdmi(r) 处理器核的 at91cap7s。at91cap7s 拥有 160k bytes 的片上快速 sram 以及一个 250k 或 450k 的金属可编程 asic 门模块。外围设备包括 usb 设备、spi 主端和从端、2个通用同步/异步收发器 (usart)、3个16位定时/计数器、一个8通道、10位模数转换器以及一整套监控功能。来自 atmel 广泛的 ip 库或客户 ip 的其它外围设备可以在 mp 模块中进行例示。 上市与定价： 设计、模板费和原型构建的一次性费用为150,000美元。cap7 现在可用于设计。若批量订购5000
00片上x、y数据存储器都是单端口的，并且容量较小。与dsp56000不同，ti公司的tms320c55x具有更多的数据总线，片上ram容量更大，且分块多，具有访问能力更强的daram。 tms320c55x具有极低的功耗(0.05mw/mips) ，非常适合手持设备，现在已经集成至ti 公司专门针对3g手机的高性能多媒体处理器上。c55x 片上除了24k字节的指令cache外，还有64k字节的双端口存储器(daram)，96k字节的单端口存储器(saram)。daram和saram总共160k字节，分成20个块，每个块8k字节。本文以c55x的视频编码器为例，讨论片上存储器的有效使用。 数据的片外、片上动态分配 因为片上存储器比片外存储器具有更高的数据访问能力和更小的访问功耗，所以尽可能分配数据到片上存储器，未能分配到片上的数据可在cpu处理前转移到片上，已经转移到片上的数据，应尽可能在片上保存直到其生命期结束，以便尽可能减少数据从片外存储器到片上存储器的数据转移。在视频编码等应用中，标量、常数相对于矩阵而言，通常数量较少，可以分配到片上；若分配到片外，在运算时直接存
dc)，以及两个用于usb主机和lcd控制器的专用dma)，同时连接到片上外设，以及内置或外置的存储器上。此外，atmel已经扩展了基于arm7 mcu的外设dma控制器，在at91sam9261中增加了19条pdc通道。pdc的作用是为外设及存储器之间传输数据，这样既可分担cpu的工作量，而且也能提高数据传输率，并让arm9处理器专注于繁重的计算任务。 大容量片上sram和灵活的确定过程式tcm支持机制 at91sam9261设有16k字节的数据高速缓存、16k字节的指令／写操作缓存、160k字节的200 mhz单循环存取sram，以及usb器件专用的2k字节内置式dpram。atmel公司充分发挥了arm926ej-s紧密式耦合内存(tightly coupled memory, tcm)构架之优势，让传统 (非高速缓存)sram直接连接到arm处理器上、而不会出现滞后情况。at91sam9261的独立指令和数据缓存能支持wince和linux操作系统；而其基于tcm构架的sram区块则是“确定过程式”实时操作系统的理想安排。另一方面，160k字节的片上sram可划分成多个16k字
的计测方法、或通过剥离试验对接合部剩余强度进行测定的方法等，对有框架引线类的qfp、plcc等大多采用剥离试验求出接合部剩余强度再进行评价的方法。 图6.1-图6.4是将qfp 通过sn-3.5ag-x系无铅焊料组装于基板后，经热循环测试的器件与基板接合强度变化，及各个循环数的接合强度在初始强度下的减少关系（表示单位mass %）采用的qfp 试件由图6.5 表示（引线间距0.65mm、线数100）。 qfp 的引线电镀了sn-20pb ，热循环制订二种方式，-30℃-130℃ 温度范围（△t-160k ）和。0℃-100 ℃ 温度范围（△t = l00k )，升降速度1.78k/min，保持时间10min，采用气相式温度循环试验机。接合强度使用万能精密拉伸试验机，用0.5mm / min 的十字型滑块速度将引线框对着cu 焊区垂直方向进行拉伸，在试验次数到30 次后，再用威伯尔曲线图计算出平均拉伸强度。 各焊料接合部的初始强度，除去合金alloy h ( sn-7.sbi-zbi-0.scu）以外，其余的接合强度都在其以上或同等。sn-3.5ag在添加bi 后，其接合强度有上升的趋势，在2%
的典型应用为远程电源管理。 cs6209集成了高速单周期8051，32k字节数据sram，以及由两个64k字节flash构成的128k字节可编程flash空间，支持isp(in system programming)以及iap(in application programming)功能。为了方便代码升级，cs6209集成了32k字节的片上bootrom，提供基于串口和网络两种接口的片内或片外flash更新。此外，通过外部存储器扩展，cs6209可以支持最多256k字节的程序空间以及160k字节的数据空间。 cs6209集成了10/100以太网接口(包括mac和phy)，与数据部分共享32k字节的sram空间用来做以太网数据包的缓存，同时支持arp、ip、icmp、udp、tcp、dhcp、http、ftp等常用协议。由于将原来需要单片机和mac控制器两个芯片才能解决的网络接入问题集成到了一起，因此大大降低了产品的成本。cs6209可以非常方便的加入到网络中，原来需要专门工具、软件，花费很长的研发时间才能实现的远程管理、控制，现在很容易使用普通ie或者netscape
的构成 此电路中根据电阻r1和r2的比率，使衰减量最大的零点频率数发生变化。当r1＝r2＝16kω、c＝0.01μf、fo＝11khz时可得到大的衰减量。使用时要r1＞r2，所以不是很简单。 零点频率fo为： 这里，因为ro＝r1/2q，ro＝r2·2q，所以首先确定q值后，即可计算r1和r2。于是，通过 又r1＞r2，可得到很大的q值(r1＝r2时，q＝0.5)。 例如，当fo＝1khz、q＝5、c＝0.o1μf时，因ro＝16kω，所以r1＝2q·ro＝160kω，r2＝ro/(2q)＝1.6kω，这样，fo时的衰减量00变为 图2是q＝5(r1和r2的比为100：1)时的增益相位特性。衰减量不是尖峰的，零点的衰减量为34.3db，和计算值相一致。 图2 桥式电路的增益-相位特性 来源:花语花屋
9261好像不能这么说吧？片内160k是给tcm用的，如果关闭tcm，速度就降低非常明显，所以，9261想保持速度，就必须把片内的160k分配给tcm使用，另外320＊240＊16＝1200k，片内只有160k，根本就不够用lcd帧缓冲用，呵呵。
工业级不间断电源产品（1kva-800kva）：意华宝/mtx-e单进单出：2.5k 3.75k 5k 6k 10k 15k 20k errepi/mtx-d三进单出：10k 15k 20k errepi/ttx-d三进三出：10k 15k 20k 30k 40k 60kerrepi/mtx三进单出：8k 10k 15k 20kerrepi/ttx三进三出：10k 15k 20k 30k 40k 60k 80k 100k 120k 100k 125k 160k 200k 300k 500k 600kva产品: a.可以多台并机, b.不同功率并机[国际唯一技术] c.多机共用同一组电池组(可以节省用户投资)联系人：路文会电话：0755-83759855 13602536280 传真：0755-83794083 www.yhbups.comhttp://www.yhbups.com
.7k 45.3k 150k 470k14.3 44.2 143 442 1.43k 4.64k 15k 46.4k 154k 475k14.7 45.3 147 453 1.47k 4.7k 15.4k 47k 158k 487k15 46.4 150 464 1.5k 4.75k 15.8k 47.5k 160k 499k15.4 47 154 470 1.54k 4.87k 16k 48.7k 162k 511k15.8 47.5 158 475 1.58k 4.99k 16.2k 49.9k 165k 523k16 48.7 160 487 1.6k 5.1k 16.5k 51k 169k 536k16.2
9261应该不错吧一般情况下9261都工作在500mhz吗?这个在硬件方面好不好处理?他的综合性能应该是很高的吧,内部160k的sram应该很好用吧.有谁做过吗?谢谢指点!
re:方波信号发生器我的最终设计思想：/*波形编号 0:矩形波 频率0~999 基频 1024 占空比 1:1 倍频为频率数*//*波形编号 1:矩形波 频率1k~9.999k 基频 1280 占空比 1:1 倍频为频率数除以10*//*波形编号 2:矩形波 频率10k~49,999k 基频 3200 占空比 1:1 倍频为频率数除以100*//*波形编号 3:矩形波 频率50k~160k 基频 1600 占空比 1:1 倍频为频率数除以100*/
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