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    24C02B引脚图单电源操作时电压下降至5.0V;低功率CMOS工艺:典型有源电流:1mA,典型待机电流10μA(电压5.0V);典型待机电流5μA(电压5.0V);单模块128字节(128×8)或者256字节(256×8)组成;2线串行接口,I2CTM兼容;兼容100kHz; 自定时擦/写周期;页写入缓冲区8个字节;典型页写入时间:2ms;对所有存储器硬件写保护;能够被用作一个串行的ROM; ESD静电保护>4000V;1000000次的擦/写操作;数据保留>200年;温度范围:-40~+125℃

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