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原装
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国产二极管
在40v以上的是二极管，低于40v的稳压管。 注意，这也有例外情况。例如2ap21的反向击穿电压低于15v，2ap8的反向击穿电压最小值为20v。此外，2dw130～2dw143型稳压管的vz值为50～200v，2cw362～2cw378的vz值是43～200v（以上均为标称值）。遇到这类情况也不难区分。同样都按额定转速摇兆欧表，由于二极管反向击穿区域的动态电阻较大，曲线不陡，因此电压表指针的摆动幅度就比较大。而稳压管的rz很小，曲线很小，曲线很陡，表针摆动很小。 实例：测量一只型2ap5锗二极管，按额定转速摇兆欧表时，反向击穿电压在110～130v之间变化，表针摇摆不稳（手册中规定反向击穿电压v(br)≥110v）。另测一只2cw136型稳压管时表针基本稳定，指在115v位置（手册中仅给出2dw136的工作电压范围是100～120v，但蛤体到某只稳压管，其工作电压基本为一确定值）。 方法二 利用万用表的电阻档也可以区分稳压管与半导体二极管。具体方法是，首先用r×1k档测量正、反向电阻，确定被测管的正、负极。然后将万用表拨于r×10k档，黑表笔接负极，红表笔接正极，由
，数值在40v以上的是二极管，低于40v的稳压管。 注意，这也有例外情况。例如2ap21的反向击穿电压低于15v，2ap8的反向击穿电压最小值为20v。此外，2dw130～2dw143型稳压管的vz值为50～200v，2cw362～2cw378的vz值是43～200v（以上均为标称值）。遇到这类情况也不难区分。同样都按额定转速摇兆欧表，由于二极管反向击穿区域的动态电阻较大，曲线不陡，因此电压表指针的摆动幅度就比较大。而稳压管的rz很小，曲线很小，曲线很陡，表针摆动很小。 实例：测量一只型2ap5锗二极管，按额定转速摇兆欧表时，反向击穿电压在110～130v之间变化，表针摇摆不稳（手册中规定反向击穿电压v(br)≥110v）。另测一只2cw136型稳压管时表针基本稳定，指在115v位置（手册中仅给出2dw136的工作电压范围是100～120v，但蛤体到某只稳压管，其工作电压基本为一确定值）。 方法二 利用万用表的电阻档也可以区分稳压管与半导体二极管。具体方法是，首先用r×1k档测量正、反向电阻，确定被测管的正、负极。然后将万用表拨于r×10k档，如图所示，黑表笔接负极，红
在40v以上的是二极管，低于40v的稳压管。 注意，这也有例外情况。例如2ap21的反向击穿电压低于15v，2ap8的反向击穿电压最小值为20v。此外，2dw130～2dw143型稳压管的vz值为50～200v，2cw362～2cw378的vz值是43～200v（以上均为标称值）。遇到这类情况也不难区分。同样都按额定转速摇兆欧表，由于二极管反向击穿区域的动态电阻较大，曲线不陡，因此电压表指针的摆动幅度就比较大。而稳压管的rz很小，曲线很小，曲线很陡，表针摆动很小。 实例：测量一只型2ap5锗二极管，按额定转速摇兆欧表时，反向击穿电压在110～130v之间变化，表针摇摆不稳（手册中规定反向击穿电压v(br)≥110v）。另测一只2cw136型稳压管时表针基本稳定，指在115v位置（手册中仅给出2dw136的工作电压范围是100～120v，但蛤体到某只稳压管，其工作电压基本为一确定值）。 方法二 利用万用表的电阻档也可以区分稳压管与半导体二极管。具体方法是，首先用r×1k档测量正、反向电阻，确定被测管的正、负极。然后将万用表拨于r×10k档，如图所示，黑表笔接负极
钻工作时，电缆l3相线中有电流流过的同时，在ta的二次绕组w2上产生了感应电压，该电压经vd3整流、c4滤波后，使v2导通，v3维持导通，m持续运转。 松开s后，l3相线中的电流消失，使v2截止，v3也截止，k和km释放，m断电而停转。 元器件选择 rl选用1-2w的金属膜电阻器;r2-r9均选用1/4w金属膜电阻器。 cl和c3选用独石电容器或涤纶电容器;c2、c4-c6均选用耐压值为25v的铝电解电容器。 vdl-vd3和vd5均选用1n4007型硅整流二极管;vd4选用2ap4或2ap5型锗普通二极管。 vl和v2选用3dg6d或s9013型硅npn晶体管;v3选用s8050或3dgl2b型硅npn晶体管。 k选用jzx-lom型24v直流继电器。 km选用cjo-10/127v交流接触器。 础可以自制:wl绕组用φ1·95mm的漆包线绕5匝，w2绕组用φo·27mm的漆包线绕500匝。 s使用原电钻手把开关。
中有电流流过的同时，在t2的二次绕组w2上产生了感应电压，该电压经vd3整流、c4滤波后，使v2导通，v3维持导通，m持续运转。 松开s后，l3相线中的电流消失，使v2截止，v3也截止，k和km释放，m断电而停转。 元器件选择 r1选用1～2w的金属膜电阻器；r2～r9均选用1／4w金属膜电阻器。 c1和c3选用独石电容器或涤纶电容器；c2、c4～c6均选用耐压值为25＼j的铝电解电容器。 vd1～vd3和vd5均选用1n4007型硅整流二极管；vd4选用2ap4或2ap5型锗普通二极管。 v1和v2选用3dg6d或59013型硅npn晶体管；v3选用58050或3dg12b型硅npn晶体管。 k选用jzx-10m型24v直流继电器。 km选用cj0-10／127v交流接触器。 ta可以自制：w1绕组用φ1.95mm的漆包线绕5匝，w2绕组用φ0.27mm的漆包线绕500匝。 s使用原电钻手把开关。
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