14
TO92/
现货、订货、调货
2N6027G
6000
TO92/21+
一站式配单
2N6027G-T92-B
20000
TO92/21+
只做原装，也只有原装
2N6027G-TO92B-TZ2G
60000
TO92/21+
一级代理
2N6027G(Z2)
66391
TO92/22+
原装现货 实单必成
2N6027G TB
9683
OFTM/TO92
原厂授权渠道，现货，产品可追溯
2N6027G-T92-B
6300
TO92/21+
现货热卖，只做原装
2N6027
20
TO92/01+
现货
2N6027G-AB3-R
500
SOT89/23/22+
20年老代理,原厂技术支持
2N6027G TB
14
TO92/
现货、订货、调货
2N6027G TB
14
TO92/
现货、订货、调货
2N6027G(Z2)
5000
TO92/2021+
UTC原厂原装货长期稳定供货
2N6027
100000
TO92/-
现货库存，如实报货，价格优势，一站式配套服务
2N6027
80000
TO92/17+
自产，优势价格QQ2850160318
2N6027G(Z2)
2000
TO92T/B/23+
专注15年UTC大陆一级代理商，值得信赖，实单必成
2N6027G(Z2)
12000
TO92T/B/21+
原装现货
2N6027G-AB3-R
12500
TO89/21+/22+
只做原装特价现货库存
2N6027
50000
TO92/21+
价格优势，自己库存
2N6027
6500
TO92/23+
只做原装现货
2N6027
MU4893
CENTRAL
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2N6027
PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
ETC
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2N6027
Programmable Unijunction Transistor
ONSEMI
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2N6027
MU4893
CENTRAL [Central Semiconductor Corp]
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2N6027
PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
ETC [ETC]
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2N6027
Programmable Unijunction Transistor
ONSEMI [ON Semiconductor]
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2N6027G
Programmable Unijunction Transistor
ONSEMI
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2N6027G
Programmable Unijunction Transistor
ONSEMI [ON Semiconductor]
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2N6027/D
Programmable Unijunction Transistor
ONSEMI
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2N6027/D
Programmable Unijunction Transistor
ON Semiconductor
2N6027/DPDF下载
器件供实验选用，虚拟测试仪器仪表种类齐全，有一般实验用的通用仪器，但没有晶体管图示仪，只能测试晶体三极管、pmos和nmos伏安特性曲线，不具备测试单结晶体管的伏安特性的功能。可以利用multisim 10强大的仿真功能，对单结晶体管的测试电路进行数据采集。 1.1 单结晶体管的测试电路 单结晶体管的伏安特性测试条件是当第二基极b2与第一基极b1之间的电压vbb固定时，测试发射极电压ve和发射极电流ie之间的关系。在multisim 10中画出单结晶体管的测试电路，如图l所示。选取2n6027管为测试管，图1中4号线接发射极e；3号线接第二基极b2；0号线接第一基极b1；电压源v1和v2的数值不固定，可在直流扫描时进行修改。 1.2 单结晶体管测试电路的直流扫描分析 multisim 10可同时对2个直流源进行扫描，仿真时，选择v2直流源，扫描曲线的数量等于v2直流源的采样点数。每条曲线相当于v2直流源取某个电压值时，对v1直流源进行直流扫描分析所得的曲线。横坐标是v2，纵坐标是v(4)电压(即ve)和i(v3)电流(即ie)，不符合单结晶体管伏安特性ve与ie
产品型号:2n6027门极到阳极最大漏电流igao max (ua):0.010峰值电流ip max(ua):2偏移电压vt min(v):0.200偏移电压vt max(v):1.600谷电流iv max(ua):50封装/温度(℃):to92/-50~100价格/1片(套):￥1.30 来源:零八我的爱
产品型号:2N6027RLRAG
门极到阳极最大漏电流IGAO Max (uA):0.010
峰值电流IP Max(uA):2
偏移电压VT Min(V):0.200
偏移电压VT Max(V):1.600
谷电流IV Max(uA):50
封装/温度(℃):TO92/-50~100
价格/1片(套):暂无
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产品型号:2N6027
门极到阳极最大漏电流IGAO Max (uA):0.010
峰值电流IP Max(uA):2
偏移电压VT Min(V):0.200
偏移电压VT Max(V):1.600
谷电流IV Max(uA):50
封装/温度(℃):TO92/-50~100
价格/1片(套):￥1.30
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0.02mA/40V
相关元件pdf下载：2n3904 2n6027 本电路提供一种可用直流电源驱动大多数小型日光灯的方法。 初始时，q1发射极驱动mosfetq2的栅极变高，使q2导通。这时变压器初级线圈t1表现为一只电感，电流在电感中逐步斜升。当t1、q2中通过的电流上升到0.62／rs安培时(设计值约la)，q3就导通。把q1基极及q4栅极电位拉向地电位，导致可编程单结晶体管q4触发，这时q4表现为一只可控硅并迅速驱动q2的栅极为零。这时，存储在t1初级线圈中的能量便转向次级线圈，使日光灯受激。这时q4仍维持原状，直至t1将其能量全部释放给日光灯为止。此时t1中产生的反向电流流回q2的体二极管，导致q2的栅级略负，因q2有分布电容存在，q4的阳极因而也变负，q4截止，q2再次导通，开始下一周的振荡。 用图中元件值，振荡频率约30khz，直流电源为10—20v。在15v时消耗电流为170ma。t1的设计最大峰值电流为0.4a。r1用来控制日光灯亮度，r1阻值较小时则t1中能量增加，使日光灯发光更亮。要关断电路可将on／off端接地即可。 华崇良
请教可调单结晶体管(but)谷点电流iv的设计可调单结晶体管谷点电流iv，是决定张驰振荡器输出功率的很关键的因素。如果谷电电流不够大，则当输出功率大到一定程度，就会因输出电流一直大于谷点电流而难以关断，造成停振。查国外可调单结晶体管2n6027与2n6028,其谷点电流由门极所接电阻rg（电流）设定。该电阻rg越小（电流越大），则谷点电流越大。从手册上看出，当谷点电流大到1~1.5ma时，rg须小到200欧(vs=10v)。假设分压比为0.67,则vb=vs/0.67=15v,那么须r1=600欧,r2=300欧。这样，r1r2上的电流就有16.7ma.我们知道，我们所需要的是真正在工作的iv,但为了得到它，却要在辅助电路上付出十几倍的代价。而且，1.5ma的谷点电流，对许多实际工作来说，还是嫌太低。也许这就是可调单结晶体管在中国很少被采用的原因？反观不可调的真正的单结晶体管bt31f,rbb=5~10kω,在同等条件下，辅助电流只有1.5~3ma,却能获得12ma的谷点电流。也就是说，辅助电流不是大到十几倍而是小到4分之1甚至8份之1。二者效率相差几十到上百倍。大约10年前，我曾在某本电子杂志上
请教可调单结晶体管2n6027与2n6027g的区别也就是最后那个g字是啥意思？有了这个g字后性能有哪些不同？
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