2SA1050
Silicon PNP Power Transistors
ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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2SA1051
Silicon PNP Power Transistors
ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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2SA1052
Silicon PNP Epitaxial
HITACHI
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2SA1052
Silicon PNP Epitaxial
KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]
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2SA1052
Silicon PNP Epitaxial
HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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2SA1052B
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CE...
ETC
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2SA1052B
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CE...
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2SA1052C
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CE...
ETC
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2SA1052C
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CE...
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2SA1052D
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CE...
ETC
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上图所示为7w输出的低频功率放大电路。该电路中采用了场效应管输入型集成运放lf356作为电压放大。该级作为三极管组成的功放电路的激励级。图示电路引入了大环路负反馈，其反馈电阻r2为100kω，输入端由c1(1μf)和r1(10kω)组成耦合电路。将输入信号的交流成分加到运放的反相输入端(引脚2)，由此可知，电路的电压放大倍数为：av=-r2／r1=-100／10=-10。后级功放电路由三极管组成互补对称电路，三极管接成复合管形式，三极管vt1和vt2可采用2sc1815，vt4和vt5可选用2sa105，vt3选用2sd525，vt6采用2sb595，后级功放附设有过流保护电路，如果功放管vt3(或vt6)的输出电流过大，则其发射极0.5ω的电阻r7(或r8)将产生较大的电压降，其极性为“上正下负”。该电压将加到vt1(或vt4)的基极与发射极之间，使vt1(或vt4)正偏而导通(当外部负载短路时，将饱和导通)，vt1的导通对vt2起分流作用，使vt2(或vt5)的基极电流下降，从而限制了vt3(或vt6)的输出电流，防止其因电流过大而损坏。由于vt3和vt6功耗较大，需要安装相应的散热器。
如图所示为7w输出的低频功率放大电路。该电路中采用了场效应管输入型集成运放lf356作为电压放大。该级作为三极管组成的功放电路的激 励级。图示电路引入了大环路负反馈，其反馈电阻r2为100kω，输入端由c1(1μf)和r1(10kω)组成耦合电路．将输入信号的交流成分加到运放的反相输入端(引脚2)，由此可知，电路的电压放大倍数为：av=-r2／r1=-100／10=-10。后级功放电路由三极管组成互补对称电路，三极管接成复合管形式，三极管vt1和vt2可采用2sc1815，vt5和vt4可选用2sa105，vt3选用2sd525，vt6采用2sb595，后级功放附设有过流保护电路，如果功放管vt3(或vt6)的输出电流过大，则其发射极0.5ω的电阻r7(或r8)将产生较大的电压降，其极性为“上正下负”。该电压将加到vt1(或vt4)的基极与发射极之间，使vt1(或vt4)正偏而导通(当外部负载短路时，将饱和导通)，vt1的导通对vt2起分流作用，使vt2(或vt5)的基极电流下降，从而限制了vt3(或vt6)的输出电流，防止其因电流过大而损坏。由于vt3和vt6功耗较大，需要安装相应的散热器。
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