2SD2720
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon T...
SANYO [Sanyo Semicon Device]
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。测试漏电保护器某一漏电流的分断时间时，k合向位2后接通q1，整流桥接在n0~n1之间，调节电流到测试值，然后断开q1(延时10ms以上，确保q1断开)接通q2，由n1点接向n2点意味着突然产生漏电流，同时开始计量分断时间。因为零线n与地线pe的电位一般不同，所以测试点n2不接在pe线上。v1接断电检测电路。由整流特性及电流有效值定义知整流桥前后的电流有效值相等，图1中i1即为漏电流值。考虑在线测试时三极管集电极电位较高，以三极管发射极电流有效值i3作为测量信号。控制电压v2为1.4~4.8v，2sd272、2sd594的hfe分别为40和50，r3取1ω，r2的值由下式确定： 因er很小，可认为i1＝i3。∵ v3＝i3r3，由v3即可测得漏电流i1的值。1.2 断电检测电路在测试漏电保护器的动作特性时，必须准确测知漏电保护器的动作时刻。本系统设计的断电检测电路见图2。 6n138为光电二极管与达林顿光电晶体管封装的光电耦合器，一次侧工作电流if为1.6ma，ifmax为20ma，vfmax为1.7v。考虑到整流桥的正向导通压降vdmax为2.4v，6n13
2.0A/800V
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