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同时也带来了一些问题， 即接口电平匹配与驱动能力问题。图3给出了3.3v cmos输出到mosfet的输入接口电路。许多mosfet在一定的负载电流下要达到饱和导通栅极电平大于3.3v，因此设计中采用标准5vcmos缓冲器74hc240将3.3vcmos转换到5vcmos电平。 3 基于数字信号处理器的驱动方案设计 通过上述分析可知，基于数字信号处理器（dsp）的igbt驱动电路的可靠性设计，要求充分了解和掌握igbt和dsp相关的电气特性及可靠性设计的原则。这里采用hp公司的hcpl－316j门极驱动光耦合器结合tms320f240给出了一种可靠的igbt驱动方案。 3.1 hcpl－316j特性 hcpl－316j是由hp公司生产的一种2aigbt门极驱动光耦合器，其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路及故障状态反馈电路。主要有以下一些特性： ——兼容cmos/ttl电平； ——光隔离，故障状态反馈； ——开关速度最大500ns； ——“软”igbt关断； ——vce欠饱和检测及带滞环欠压锁定保护； ——宽工作电压范围（15～30v）； ——用户可配置自动复位、
和高频逆变技术的高速发展， 各种采用大功率逆变技术的电源变换装置被大量应用于各种行业， 如变频器、电镀、电弧炉、ups、电气化机车、通信电源、电焊机等， 而igbt 由于其集双极型功率晶体管和功率mosfet 的优点于一体的相对优异的综合电性能指标， 在上述电源变换装置中被广泛使用。 为了最大限度发挥igbt 的优越性， 各生产厂家相继研制出各种驱动和保护电路并推向市场， 如三菱公司的m57959 /57962、富士电机的exb840/841、东芝公司的tlp250、惠普公司的hclp- 316j、西门康的skh i22a /b 等， 其中由于m57959 /57962具备较高的性价比， 因而在各种大功率igbt 电源变换装置中得到了广泛应用。 每个m57959 /57962 需要正负两种辅助电源，并且由于大功率igbt栅极- 发射极间存在较大的寄生电容， 在驱动脉冲的上升和下降沿均需要提供数安的充放电电流， 才能满足开通和关断的动态要求， 这使得正负两种辅助电源必须能输出一定的峰值电流。一般情况下， 大功率igbt 电源变换装置多采用全桥电路拓扑， 因此需要8 路共4对相同的正负
请问哪位老师有316j的中文芯片资料?能不能给我一份?
igbt集成驱动器常用的igbt集成驱动器exb840（1）系列和m57959（62）l系列和hcpl－316j，到底那种驱动器更好用，可靠性更高，还有性价比？？？请指点。
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