射极电流ie也会随之增大。 当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值（硅管等于或略高于0.7v，锗管等于或略高于0.3v0时，晶体管将从导通放大状态进入饱和状态，此时集电极电流ic将处于较大的恒定状态，且已不受基极电流ib控制。晶体管的导通内阻很小（相当于开关被接通），集电极与发射极之间的电压低于发射结电压，集电结也由反偏状态变为正偏状态。 （二）高频晶体管 高频晶体管（指特征频率大于30mhz的晶体管）可分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。 常用的国产高频小功率晶体管有3ag1~3ag4、3ag11~3ag14、3cg3、3cg14、3cg21、3cg9012、3cg9015、3dg6、3dg8、3dg12、3dg130、3dg9011、3dg9013、3dg9014、3dg9043等型号，部分国产高频小功率晶体管的主要参数。 常用的进口高频小功率晶体管有2n5551、2n5401、bc148、bc158、bc328、bc548、bc558、9011~9015、s9011~s9015、tec9011~tec9015、2sa1015、2sc1815、2sa562、2sc1959、2sa673
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