4X16E43V
4 MEG x 16 EDO DRAM
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量累加σδadc具有全差分和单信号测量，让测量更容易。 ·高效能温度传感器(tps)，在单点校正下可满足±2℃误差范围。 ·低噪声输入运算放大器(lnop)可提供高输出阻抗及小讯号与小电流的应用方式。 ·集成型内置可编程ldo与升压线路，满足不同传感器供电与lcd显示。 ·14段电压检测功能，具有0.1v的解析能力。 ·内建timer/capture/compare/pwm(1、4 output)/pfd/spi/ euart/ enhance comparator/lcd（4x12、4x16、4x32、4x40）/bie等等..丰富的数字集成资源，组合出不同的高性价比芯片。 ·具有超小型封裝qfn24可大幅減少系統板的空間以及ssop28/32、lqfp32/44/64/100因應不同應用需求的封裝型式。 hy11p系列高解析度低功耗单片机可通过hycon的直接销售渠道和分销网络提供样片并正式批量供货。
的硬件资源，而且每轮次密钥移位次数不同，需要的运算时间不同，会给算法的迭代运算带来更大的等待延迟。因此，通过分析得到生成每一轮子密钥时，相对输入密钥所需移位的数目，直接将各个子密钥提前生成。这样不仅降低了资源消耗，提高算法的执行速度，也消除了各个圈子密钥之问的相关性。 3．3 s盒的设计 s盒的设计是des算法关键部分，s盒设计的优劣将影响整个算法性能。在采用fpga实现时，应从资源和速度的角度出发，有效利用fpga可配置属性，充分考虑器件内部结构，尽可能使两者都达到最优。s盒是一个4x16的二维数组，根据输入的6位地址数据确定输出，中间4位数据确定列，两边2位确定行，所产生的行列数据对应的地址空间中存放的就是输出的4位数据。为了利用fpga内部的4输入查找表结构，可重新设计s盒的逻辑描述，即先固定2个变量，而使另外4个变量发生变化。实现时使用双重case语句，外层使用2个变量，对应s盒输入的第1、6位。内层使用4个变量，对应s盒输入的第2、3、4、5位。形成一个6输入、4输出的查找表。这样就可以充分利用fpga的内部资源，提高综合效率，加快算法执行速度。 3．4 子密钥延迟
1.89-1.91。 深圳市场： nand flash部分：虽然有些工厂已经陆续开始买货了，但微弱的需求和源源不断的供应比起来就微不足道了，所以交易还是很不好。价格也得不到支撑，深圳价格甚至有的已经低于香港价格。hynix 1gb/2gb/4gb:￥47-47.5 ￥82 ￥140 samsung 1gb/2gb/4gb/8gb: ￥50 ￥84 ￥139（f）-148（k） ￥271（k）-311（w） dram部分：ddr和ddr2还是呈一跌一涨的两极趋势。sdram 也依然是4x16和2x32这两颗需求不错，其它型号的就没什么起色。
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