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建立比较器的外部滞回电压
第1步选择r3, 在触发点流经r3的电流为(vref - vout)/r3。考虑到输出的两种可能状态, r3由如下两式求得： r3 = vref/ir3和r3 = (vcc - vref)/ir3. 取计算结果中的较小阻值, 例如, vcc = 5v, ir3 = 0.2μa, 使用max9117比较器(vref = 1.24v), 则计算结果为6.2m和19m, 选则r3为6.2m。最后, 开漏结构的比较器内部滞回电压为4mv (max9016、max9018、max9020), 需要外接上拉电阻, 如图11所示。外加滞回可以通过正反馈产生, 但是计算公式与上拉输出的情况稍有不同。滞回电压 = vthr - vthf = 50mv。按如下步骤计算电阻值：第1步选择r3,

Vishay推出功率MOSFETSi7633DP与Si7135DP
mosfetsi7633dp和si7135dp。这次推出的器件采用so-8封装，具有±20v栅源极电压以及业内最低的导通电阻。现有的同类so-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24mω ，而vishay的si7633dp具有3.3mω(在10v时)及5.5mω(在4.5v时)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30v器件低27%(在10v时)和28%(在4.5v时)，比最接近的同类25v so-8器件分别低28%和15%。30-v si7135dp的导通电阻为 3.9mω(在10v时)和6.2mω(在4.5v时)，比最接近的同类器件分别低13%(在10v时)和19.5%(在4.5v 时)。这次推出的两款mosfet均采用powerpak so-8封装，可容许比其它so-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间切换)一直处于导通状态，消耗电流。si7633dp 和si7135dp的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池

滞回电压比较器
较器设计用于电压摆幅为vcc和0v的单电源系统。可以按照以下步骤, 根据给定的电源电压、电压滞回(vhb)和基准电压(vref), 选择并计算需要的元件：第1步选择r3, 在触发点流经r3的电流为(vref - vout)/r3。考虑到输出的两种可能状态, r3由如下两式求得：r3 = vref/ir3和r3 = (vcc - vref)/ir3.取计算结果中的较小阻值, 例如, vcc = 5v, ir3 = 0.2μa, 使用max9117比较器(vref = 1.24v), 则计算结果为6.2m和19m, 选则r3为6.2m。最后, 开漏结构的比较器内部滞回电压为4mv (max9016、max9018、max9020), 需要外接上拉电阻, 如图11所示。外加滞回可以通过正反馈产生, 但是计算公式与上拉输出的情况稍有不同。滞回电压 = vthr - vthf = 50mv。按如下步骤计算电阻值：第1步选择r3, 在in_+端的漏电流小于2na, 所以通过r3的电流至少为0.2μa, 以减小漏电流引起的误差。r3可由r3 = vref/ir3或r3 = [(vcc - vref)/i
有用过PT2272的吗？地址码怎接的啊
2262和2272的震荡电阻2262和2272的震荡电阻是配对的！编码发射芯片 pt2262 pt2260 sc2260 sc2262 cs5211 1.2m 无 3.3m 1.1m 1.3m 1.5m 无 4.3m 1.4m 1.6m 2.2m 无 6.2m 2m 2.4m 3.3m 无 9.1m 3m 3.6m 4.7m 1.2m 12m 4.3m 5.1m 编码接收芯片 pt2272/sc2272/cs5212 200k 270k 390k 680k 820k

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