制造出了更小的晶体管部件。他们制造的晶体管基片只有12.5纳米厚。 这个小组的研究生william snodgrass将在12月11-13号在san francisco召开的the international electronics device meeting会议上介绍了他们的结果。他说:“通过垂直缩小装置,我们减小了电子需要走的距离,因此得到了更快的晶体管。而且因为集电器的横截面也减小了,晶体管充电和放电的速度也加快了。” 在室温小下(25摄氏度),晶体管的速度为765g赫兹。冷却到-55摄氏度时,晶体管的速度达到845g赫兹。 在下一步的研究中,feng打算进一步降低电流密度,这样将减小结温度并提高装置稳定性。