K9F4008W0A-TCB0
6740
TSOP40/23+
只做原装
K9F4008W0A-TCB0
13500
TSOP40/0413+
全新原装现货原标签薄利多销
K9F4008W0A
21449
TSOP/21+
原厂原装现货
K9F4008W0A
4104
TSOP/2023+
终端可免费供样,支持BOM配单
K9F4008W0A
21449
TSOP/21+
原厂原装现货
K9F4008W0A
65286
-/21+
全新原装现货,长期供应,免费送样
K9F4008W0A
23817
TSOP/23+
原装 BOM表一站配套
K9F4008W0A
41101
TSOP/-
大量现货,提供一站式配单服务
K9F4008W0A
63422
TSOP/2215+
原装现货,可提供一站式配套服务
K9F4008W0A
3100
TSOP/-
-
K9F4008W0A
63422
TSOP/2215+
原装现货,可提供一站式配套服务
nand flash存储器接口控制器的功能如下。 (1)nand接口 nand flash是一种低成本、高性能且高密度非易失性存储器,被广泛地应用于mp3、mp4、pmp及数码相机等产品中。 本设计用一片xc2c32a coolrunner-ii cpld实现nand flash接口,可以与amdultranand flash(am30lv0064d)及samsung nand flash(k9f4008w0a)接口。本设计以am30lv0064d为例进行讲解,k9f4008w0a接口的设计与其类似,不再赘述。 系统框图如图所示。 如图 系统框图 cpld读取系统低4位地址,译码产生flash接口命令,与flash接口信号是通过写cpld内部相应端口产生的。端口说明如表所示。 如表 端口说明 (2)and ultranand存储器 am30lv0064d有1024个块,每个块有16页,每页512个字节(另外有16个字节的冗余空间)。如图所示为该设计框图。 如图 amd ultranand存储器设计框图 如表所示为amd flash命令集。
电源电庄:VCC=3.0~5.5V;结构:存储器单元阵列:512K×8位,数据存储器:32×8位;自动编程和擦除(典型值):帧编程:在500μs时为32字节,块擦除:在6ms时为4KB;32字节帧读操作:随机存取:15μs(最大值),串行帧访问:120ns(最小值);指令/地址/数据复用I/O端口;低操作电流(典型值):待机电流:10μA,读/编程/擦除电流:10mA;CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期;指令存储器操作;封装:40引脚的TSOP封装